TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Griebel, M.
A1  - Indlekofer, K. M.
A1  - Lüth, H.
T1  - Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer,  K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
T2  - Journal of Applied Physics. 84 (1998), H. 12
Y1  - 1998
UR  - https://opus.bibliothek.fh-aachen.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/2378
SN  - 1089-7550
SP  - 6719
EP  - 6724
ER  -