Dokument-ID Dokumenttyp Verfasser/Autoren Herausgeber Haupttitel Abstract Auflage Verlagsort Verlag Erscheinungsjahr Seitenzahl Schriftenreihe Titel Schriftenreihe Bandzahl ISBN Quelle der Hochschulschrift Konferenzname Bemerkung Quelle:Titel Quelle:Jahrgang Quelle:Heftnummer Quelle:Erste Seite Quelle:Letzte Seite URN DOI Zugriffsart Link Abteilungen OPUS4-2803 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Schmidt, T., ; Haug, R. J., Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ... Singapore [u.a.] World Scientific 1996 XXX S., S. 1663 - 2566 : Ill., graph. Darst. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors : Berlin, Germany, July 21 - 26, 1996 / ed.: Matthias Scheffler ... - Vol. 3 981-02-2947-X International Conference on the Physics of Semiconductors <23, 1996, Berlin> 2251 ff. Fachbereich Energietechnik OPUS4-2799 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Lauter, J., ; Lüth, H., AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ... Piscataway, NJ IEEE Service Center 1996 LI, 666 S. : Ill., graph. Darst. 1995 IEEE conference record : October 21 - 28, 1995, San Francisco / Patricia A. Moonier, guest ed. - Vol. 1 0-7803-3180-X Nuclear Science Symposium <1995, San Francisco, Calif.> ; Medical Imaging Conference <1995, San Francisco, Calif.> ; IEEE catalog number: 95CH35898 579 ff. Fachbereich Energietechnik OPUS4-2780 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Lauter, J., ; Lüth, H., AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ... 1996 5 IEEE Transactions on Nuclear Science (T-NS). 43 (1996), H. 3, Part 2 0018-9499 1446 1451 bezahl http://dx.doi.org/10.1109/23.507080 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2781 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Lachenmann, S. G., ; Kastalsky, A., Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ... 1996 Czechoslovak journal of physics . 46 (1996), H. S2 0011-4626 659 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2777 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Hu, Quing, ; Verghese, S., High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster 1996 6 Semiconductor science and technology. 11 (1996), H. 12 1361-6641 1888 1894 campus http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/12/021 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2778 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Schmidt, T., ; Haug, R. J., Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ... 1996 5 Europhysics letters. 36 (1996), H. 1 1286-4854 61 66 bezahl http://dx.doi.org/doi:10.1209/epl/i1996-00187-x Fachbereich Energietechnik OPUS4-2779 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Tillmann, K., ; Thust, M., Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ... 1996 6 Philosophical magazine / Letters. 74 (1996), H. 5 1362-3036 309 315 bezahl http://dx.doi.org/10.1080/095008396180029 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2775 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Novák, J., ; Morvic, M., Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ... 1996 4 Materials science and engineering / B, Solid state materials for advanced technology. 40 (1996), H. 1 0921-5107 58 62 bezahl http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(96)01594-2 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2776 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Leuther, A., ; Lüth, H., DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ... 1996 5 Semiconductor science and technology. 11 (1996), H. 5 1361-6641 766 771 campus http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/5/019 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2769 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Appenzeller, J., ; Schroer, C., Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ... 1996 4 Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 15 1095-3795 9959 9963 bezahl http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.53.9959 Fachbereich Energietechnik