Dokument-ID Dokumenttyp Verfasser/Autoren Herausgeber Haupttitel Abstract Auflage Verlagsort Verlag Erscheinungsjahr Seitenzahl Schriftenreihe Titel Schriftenreihe Bandzahl ISBN Quelle der Hochschulschrift Konferenzname Bemerkung Quelle:Titel Quelle:Jahrgang Quelle:Heftnummer Quelle:Erste Seite Quelle:Letzte Seite URN DOI Zugriffsart Link Abteilungen OPUS4-2374 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Mikulics, M., ; Wu, S., ; Marso, M., Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R. 2006 2 IEEE Photonics Technology Letters. 18 (2006), H. 7 820 822 bezahl http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2006.871696 Fachbereich Energietechnik OPUS4-116 Konferenzveröffentlichung Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Stock, Jürgen, ; Montanari, Simone, ; Lepsa, Mihail Ion, ; Lüth, Hans, Fabrication and characterisation of GaAs Gunn Diode Chips for applications at 77 GHz in automotive industry GaAs-based Gunn diodes with graded AlGaAs hot electron injector heterostructures have been developed under the special needs in automotive applications. The fabrication of the Gunn diode chips was based on total substrate removal and processing of integrated Au heat sinks. Especially, the thermal and RF behavior of the diodes have been analyzed by DC, impedance and S-parameter measurements. The electrical investigations have revealed the functionality of the hot electron injector. An optimized layer structure could fulfill the requirements in adaptive cruise control (ACC) systems at 77 GHz with typical output power between 50 and 90 mW. 2006 urn:nbn:de:hbz:a96-opus-1462 Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik