Dokument-ID Dokumenttyp Verfasser/Autoren Herausgeber Haupttitel Abstract Auflage Verlagsort Verlag Erscheinungsjahr Seitenzahl Schriftenreihe Titel Schriftenreihe Bandzahl ISBN Quelle der Hochschulschrift Konferenzname Bemerkung Quelle:Titel Quelle:Jahrgang Quelle:Heftnummer Quelle:Erste Seite Quelle:Letzte Seite URN DOI Zugriffsart Link Abteilungen OPUS4-2841 Wissenschaftlicher Artikel Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices New Delhi [u.a.] Allied Publ. 2000 XXIII S., S. 755 - 1518 : Ill., graph. Darst. Proceedings of the Tenth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices : (December 14 - 18, 1999) / ed.: Vikram Kumar ... - Vol. 2 81-7023-998-2 International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices <10, 1999, Delhi> 966 966 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2430 Wissenschaftlicher Artikel Vitusevich, S. A., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Reetz, W., ; Lüth, H., ; Belyaev, A. E., ; Danylyuk, S. V., Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode 2000 3 Nanotechnology. 11 (2000), H. 4 1361-6528 305 308 campus http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/11/4/322 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2426 Wissenschaftlicher Artikel Schmidt, R., ; Tonnesmann, A., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Grimm, M., ; Kordos, P., ; Lüth, H., Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer Piscataway, NJ IEEE Operations Center 2000 280 S. : Ill., graph. Darst. 8th IEEE International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications : EDMO 2000 ; [13 - 14 November 2000, University of Glasgow] / organised by Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow Scotland. MTT/ED/AP/LEO Societies Joint Chapter, United Kingdom and Republic of Ireland Section. With technical co-sponsorship from IEEE Electron Device Society 0-7803-6550-X EDMO <8, 2000, Glasgow> ; University / Department of Electronics and Electrical Engineering ; IEEE catalog number 00TH8534 95 98 campus http://dx.doi.org/10.1109/EDMO.2000.919037 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2414 Wissenschaftlicher Artikel Rosenauer, A., ; Oberst, W., ; Litvinov, D., ; Gerthsen, D., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Schmidt, R., Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy 2000 12 Physical Review B. 61 (2000), H. 12 1095-3795 8276 8288 bezahl http://link.aps.org/abstract/PRB/v61/p8276 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2410 Wissenschaftlicher Artikel Hoskens, R. C. P., ; Tolstikhin, V.I., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Roer, T.G. van de, Vertically integrated transistor-laser structure, take 2 Ann Arbor, Mich. Univ. of Michigan 2000 Getr. Zählung [ca. 200 S.] WOCSDICE 2000, 24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe : May 29 - June 02, 2000, Aegean Sea, Greece. 0970311109 WOCSDICE ; (24, 2000) Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe ; (24 : ; 2000.05.29-06.02) Fachbereich Energietechnik OPUS4-2411 Wissenschaftlicher Artikel Darmo, J., ; Schäffer, F., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Kordos, P., Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range Piscataway, NJ IEEE 2000 XI, 481 S.: Ill ASDAM 2000 : conference proceedings / edited by Jozef Osvald ... [et al.] 0780359399 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ; (3rd : ; 2000 : ; Smolenice, Slovakia) 147 150 campus http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2000.889470 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2408 Wissenschaftlicher Artikel Hodel, U., ; Orzati, A., ; Marso, M., ; Homann, O., ; Fox, A., ; Hart, A. v. d., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Kordos, P., ; Lüth, H., A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver Piscataway, NJ IEEE Service Center 2000 X, 582 S. : Ill., graph. Darst. Conference Proceedings: 2000 International Conference on Indium Phosphide and related materials 0-7803-6320-5 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials <12, 2000, Williamsburg, Va.> 466 469 campus http://dx.doi.org/10.1109/ICIPRM.2000.850334 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2409 Wissenschaftlicher Artikel Hoskens, R.C.P., ; Roer, T.G. van de, ; Tolstikhin, V.I., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation Piscataway, NJ IEEE Service Center 2000 XXVIII S., S. 393 - 898 : Ill., graph. Darst. LEOS 2000 : 2000 IEEE annual meeting conference proceedings; 13th annual meeting; IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2000 annual meeting; 13-16 November 2000, The Westin Rio Mar Beach, Rio Grande, Puerto Rico. Vol. 2 0-7803-5947-X 2000 IEEE LEOS annual meeting 444 445 campus http://dx.doi.org/10.1109/LEOS.2000.893905 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2387 Wissenschaftlicher Artikel Vitusevich, S. A., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Indlekofer, K.-M., ; Lüth, H., ; Belyaev, A. E., ; Glavin, B. A., ; Konakova, R. V., Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes 2000 6 Physical Review . B. 61 (2000), H. 16 1550-235X 10898 10904 bezahl http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.61.10898 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2383 Wissenschaftlicher Artikel Tillmann, K., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001) 2000 11 Thin Solid Films. 368 (2000), H. 1 0040-6090 93 104 campus http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(00)00858-0 Fachbereich Energietechnik OPUS4-2384 Wissenschaftlicher Artikel Vitusevich, S. A., ; Förster, Arnold, foerster@fh-aachen.de; Reetz, W., ; Lüth, H., ; Belyaev, A. E., ; Danylyuk, S. V., Spectral Responsivity of single-quantum-well photodetectors 2000 2 Applied Physics Letters. 77 (2000), H. 1 1077-3118 16 18 campus http://dx.doi.org/10.1063/1.126862 Fachbereich Energietechnik