TY - JOUR A1 - Hodel, U. A1 - Orzati, A. A1 - Marso, M. A1 - Homann, O. A1 - Fox, A. A1 - Hart, A. v. d. A1 - Förster, Arnold A1 - Kordos, P. A1 - Lüth, H. T1 - A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver JF - Conference Proceedings: 2000 International Conference on Indium Phosphide and related materials Y1 - 2000 SN - 0-7803-6320-5 N1 - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials <12, 2000, Williamsburg, Va.> SP - 466 EP - 469 PB - IEEE Service Center CY - Piscataway, NJ ER - TY - JOUR A1 - Stock, J. A1 - Malindretos, J. A1 - Indlekofer, K.M. A1 - Pöttgens, Michael A1 - Förster, Arnold A1 - Lüth, Hans T1 - A Vertical Resonant Tunneling Transistor for Application in Digital Logic Circuits JF - IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED). 48 (2001), H. 6 Y1 - 2001 SN - 0018-9383 SP - 1028 EP - 1032 ER - TY - JOUR A1 - Darmo, J. A1 - Schäffer, F. A1 - Förster, Arnold A1 - Kordos, P. T1 - Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range JF - ASDAM 2000 : conference proceedings / edited by Jozef Osvald ... [et al.] Y1 - 2000 SN - 0780359399 N1 - International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ; (3rd : ; 2000 : ; Smolenice, Slovakia) SP - 147 EP - 150 PB - IEEE CY - Piscataway, NJ ER - TY - JOUR A1 - Krafft, B. A1 - Förster, Arnold A1 - Hart, A. van der A1 - Schäpers, T. T1 - Control of Aharonov-Bohm oscillations in a AlGaAs/GaAs ring by asymmetric and symmetric gate biasing JF - Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 9 (2001), H. 4 Y1 - 2001 SN - 1386-9477 SP - 635 EP - 641 ER - TY - JOUR A1 - Tillmann, K. A1 - Förster, Arnold T1 - Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001) JF - Thin Solid Films. 368 (2000), H. 1 Y1 - 2000 SN - 0040-6090 SP - 93 EP - 104 ER - TY - CHAP A1 - Förster, Arnold A1 - Stock, Jürgen A1 - Montanari, Simone A1 - Lepsa, Mihail Ion A1 - Lüth, Hans T1 - Fabrication and characterisation of GaAs Gunn Diode Chips for applications at 77 GHz in automotive industry N2 - GaAs-based Gunn diodes with graded AlGaAs hot electron injector heterostructures have been developed under the special needs in automotive applications. The fabrication of the Gunn diode chips was based on total substrate removal and processing of integrated Au heat sinks. Especially, the thermal and RF behavior of the diodes have been analyzed by DC, impedance and S-parameter measurements. The electrical investigations have revealed the functionality of the hot electron injector. An optimized layer structure could fulfill the requirements in adaptive cruise control (ACC) systems at 77 GHz with typical output power between 50 and 90 mW. KW - Biosensor KW - Gunn diode KW - microwave generation KW - GaAs hot electron injector Y1 - 2006 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:hbz:a96-opus-1462 ER - TY - JOUR A1 - Vitusevich, S. A. A1 - Förster, Arnold A1 - Reetz, W. A1 - Lüth, H. A1 - Belyaev, A. E. A1 - Danylyuk, S. V. T1 - Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode JF - Nanotechnology. 11 (2000), H. 4 Y1 - 2000 SN - 1361-6528 SP - 305 EP - 308 ER - TY - JOUR A1 - Schöning, Michael Josef A1 - Biselli, Manfred A1 - Selmer, Thorsten A1 - Öhlschläger, Peter A1 - Baumann, Marcus A1 - Förster, Arnold A1 - Poghossian, Arshak T1 - Forschung „zwischen“ den Disziplinen: das Institut für Nano- und Biotechnologien JF - Analytik news : das Online-Labormagazin für Labor und Analytik N2 - "Biologie trifft Mikroelektronik", das Motto des Instituts für Nano- und Biotechnologien (INB) an der FH Aachen, unterstreicht die zunehmende Bedeutung interdisziplinär geprägter Forschungsaktivitäten. Der thematische Zusammenschluss grundständiger Disziplinen, wie die Physik, Elektrotechnik, Chemie, Biologie sowie die Materialwissenschaften, lässt neue Forschungsgebiete entstehen, ein herausragendes Beispiel hierfür ist die Nanotechnologie: Hier werden neue Werkstoffe und Materialien entwickelt, einzelne Nanopartikel oder Moleküle und deren Wechselwirkung untersucht oder Schichtstrukturen im Nanometerbereich aufgebaut, die neue und vorher nicht bekannte Eigenschaften hervorbringen. Vor diesem Hintergrund bündelt das im Jahre 2006 gegründete INB die an der FH Aachen vorhandenen Kompetenzen von derzeit insgesamt sieben Laboratorien auf den Gebieten der Halbleitertechnik und Nanoelektronik, Nanostrukturen und DNA-Sensorik, der Chemo- und Biosensorik, der Enzymtechnologie, der Mikrobiologie und Pflanzenbiotechnologie, der Zellkulturtechnik, sowie der Roten Biotechnologie synergetisch. In der Nano- und Biotechnologie steckt außergewöhnliches Potenzial! Nicht zuletzt deshalb stellen sich die Forscher der Herausforderung, in diesem Bereich gemeinsam zu forschen und Schnittstellen zu nutzen, um so bei der Gestaltung neuartiger Ideen und Produkte mitzuwirken, die zukünftig unser alltägliches Leben verändern werden. Im Folgenden werden die verschiedenen Forschungsbereiche kurz zusammenfassend vorgestellt und vorhandene Interaktionen anhand von exemplarisch ausgewählten, aktuellen Forschungsprojekten skizziert. Y1 - 2012 VL - Publ. online PB - Dr. Beyer Internet-Beratung CY - Ober-Ramstadt ER - TY - JOUR A1 - Mikulics, M. A1 - Camara, I. A1 - Hardt, A. van der A1 - Fox, A. A1 - Förster, Arnold A1 - Gusten, R. A1 - Lüth, H. A1 - Kordos, P. T1 - Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs JF - Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems : conference proceedings ; Smolenice Castle, Slovakia, October 17 - 21, 2004 / [organizers: Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava and Microelectronics Department, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology, Bratislava]. Ed. by J. Osvald Y1 - 2004 SN - 0-7803-8335-7 N1 - International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems <5, 2004, Smolenice> ; ASDAM <5, 2004, Smolenice> ; IEEE catalog numer: 04EX867 SP - 231 EP - 234 PB - IEEE Operations Center CY - Piscataway, NJ ER - TY - JOUR A1 - Hoskens, R.C.P. A1 - Roer, T.G. van de A1 - Tolstikhin, V.I. A1 - Förster, Arnold T1 - Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation JF - LEOS 2000 : 2000 IEEE annual meeting conference proceedings; 13th annual meeting; IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2000 annual meeting; 13-16 November 2000, The Westin Rio Mar Beach, Rio Grande, Puerto Rico. Vol. 2 Y1 - 2000 SN - 0-7803-5947-X N1 - 2000 IEEE LEOS annual meeting SP - 444 EP - 445 PB - IEEE Service Center CY - Piscataway, NJ ER -