TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Darmo, J.
A1  - Dubecký, F.
A1  - Kordos, P.
T1  - Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering B: Solid– state materials for advanced technology. 28 (1994), H. 1-3
Y1  - 1994
SN  - 0921-5107
SP  - 393
EP  - 396
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kordos, P.
A1  - Marso, M.
T1  - Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 71 (1997), H. 8
Y1  - 1997
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 1118
EP  - 1120
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Rosenauer, A.
A1  - Fischer, U.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
JF  - Applied physics letters. 71 (1997), H. 26
Y1  - 1997
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 3868
EP  - 3870
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lange, J.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
JF  - Journal of Physics D: Applied Physics. 27 (1994), H. 1
Y1  - 1994
SN  - 0022-3727
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1361-6463
SP  - 175
EP  - 178
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Kohleick, R.
T1  - Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 50 (1994), H. 11
Y1  - 1994
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 7833
EP  - 7837
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Müller, F.
A1  - Lengeler, B.
A1  - Schäpers, T.
T1  - Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
JF  - Physical Review B . 51 (1995), H. 8
Y1  - 1995
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 5099
EP  - 5105
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Tewordt, M.
A1  - Blick, R. H.
T1  - Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 51 (1995), H. 8
Y1  - 1995
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 5570
EP  - 5573
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lohe, C.
A1  - Leuther, A.
T1  - Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 47 (1993), H. 7
Y1  - 1993
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 3819
EP  - 3826
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kohleick, R.
A1  - Lüth, H.
T1  - Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure  / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
JF  - Physical Review B . 48 (1993), H. 20
Y1  - 1993
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 15138
EP  - 15143
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Zettler, J.-T.
A1  - Mikkelsen, H.
A1  - Leo, K.
T1  - Modulated ellipsometric measurements and transfer-matrix calculation of the field-dependent dielectric function of a multiple quantum well / J.-Th. Zettler ; H. Mikkelsen ; K. Leo ... A. Förster
JF  - Physical Review B . 46 (1992), H. 24
Y1  - 1992
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 15955
EP  - 15962
ER  -