TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
A1  - Eifert, T.
A1  - Handrick, K.
A1  - Neuhausen, U.
T1  - Computational Magnetochemistry: Complementary Quantum Mechanical Tools / Eifert, T. ; Handrick, K. ; Hüning, F. ; Neuhausen, U. ; Schilder, H. ; Lueken, H.
JF  - 20 Jahre Wilhelm-Klemm-Stiftung / Kuratorium der Wilhelm-Klemm-Stiftung (Hrsg.)
Y1  - 2006
SN  - 978-3-8322-5520-6
SP  - 193ff
PB  - Shaker
CY  - Aachen
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Die Anforderungen steigen : Entwicklungstrends bei MOSFETs für den Automobilbereich
JF  - Elektronik-Industrie. 39 (2008), H. 5
Y1  - 2008
SN  - 0174-5522
SP  - 74
EP  - 76
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Robusti affidabili per le Sfide dell’automotive
JF  - Selezione di Elettronica (2008)
Y1  - 2008
SP  - 116
EP  - 117
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Entwicklungstrends bei MOSFETs für den Automobilbereich
JF  - Elektronik-Industrie . 39 (2008), H. 5
Y1  - 2008
SN  - 0174-5522
SP  - 74
EP  - 76
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Mosfet ottimizzati per l’automotive
JF  - Selezione di Elettronica (2009)
Y1  - 2009
SP  - 115
EP  - 117
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - SMD packages for PowerMOSFETs in automotive applications – developments and trends
JF  - Automotive Designline Europe  (2009)
Y1  - 2009
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Hart im Nehmen : Low-Voltage-Powermosfets mit Super-Junction-1-Technologie optimieren
JF  - Elektronik-Journal. 44 (2009), H. 12
Y1  - 2009
SN  - 0013-5674
SP  - 36
EP  - 38
PB  - -
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - PowerMOSFETs in ANL2-Technologie : Ansteuerungen bis in den kW-Bereich mit wenig Verlustleistung und Platzbedarf
JF  - Elektronik-Industrie
Y1  - 2011
SN  - 0174-5522
VL  - 42
IS  - 10
SP  - 36
EP  - 39
PB  - Hüthig
CY  - Heidelberg
ER  - 
TY  - CHAP
A1  - Hüning, Felix
ED  - Schmitz, Günter
T1  - PowerMOSFETs für Elektromotoren im Automobil : Vom Fensterheber zum EPS
T2  - Elektronik im Kraftfahrzeug : Innovationen bei Systemen und Komponenten ; mit 7 Tabellen
Y1  - 2012
SN  - 978-3-8169-3110-2
N1  - Haus der Technik Fachbuchreihe ; 123
SP  - 71
EP  - 81
PB  - Expert Verlag
CY  - Renningen
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Hüning, Felix
T1  - Using Trench PowerMOSFETs in Linear Mode
JF  - Power Electronics Europe (2012)
N2  - If we think about applications for modern Power MOSFETs using trench technology, running them in linear mode may not be top of the priority list. Yet there are multiple uses for Trench Power MOSFETs in linear mode. In fact, even turning the device on and off in switching applications is a form of linear operation. Also, these components can be run in linear mode to protect the device against voltage surges. This article will illustrate the factors that need to be considered for linear operation and show how Trench Power MOSFETs are suited to it.
Y1  - 2012
SN  - 1748-3530
SP  - 27
EP  - 29
PB  - DFA Media
CY  - Tonbridge
ER  -