TY  - JOUR
A1  - Mikulics, M.
A1  - Marso, M.
A1  - Cámara Mayorga, I.
A1  - Gusten, R.
A1  - Stancek, S.
A1  - Michael, E. A.
A1  - Schieder, R.
A1  - Wolter, M.
A1  - Buca, D.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kordos, P.
A1  - Lüth, H.
T1  - Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
JF  - Applied physics letters. 87 (2005)
Y1  - 2005
SP  - 041106-1
EP  - 041106-3
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Rosenauer, A.
A1  - Oberst, W.
A1  - Litvinov, D.
A1  - Gerthsen, D.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, R.
T1  - Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
JF  - Physical Review B. 61 (2000), H. 12
Y1  - 2000
SN  - 1095-3795
SP  - 8276
EP  - 8288
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Sabitova, A.
A1  - Ebert, Ph.
A1  - Lenz, A.
A1  - Schaafhausen, S.
A1  - Ivanova, L.
A1  - Dähne, M.
A1  - Hoffmann, A.
A1  - Dunin-Borkowski, R. E.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Grandidier, B.
A1  - Eisele, H.
T1  - Intrinsic bandgap of cleaved ZnO(112¯0) surfaces
JF  - Applied physics letters
Y1  - 2013
SN  - 1077-3118 (E-Journal); 0003-6951 (Print)
VL  - Vol. 102
SP  - 021608
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Schmidt, R.
A1  - Tonnesmann, A.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Grimm, M.
A1  - Kordos, P.
A1  - Lüth, H.
T1  - Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
JF  - 8th IEEE International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications : EDMO 2000 ; [13 - 14 November 2000, University of Glasgow] / organised by Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow Scotland. MTT/ED/AP/LEO Societies Joint Chapter, United Kingdom and Republic of Ireland Section. With technical co-sponsorship from IEEE Electron Device Society
Y1  - 2000
SN  - 0-7803-6550-X
N1  - EDMO <8, 2000, Glasgow> ; University <Glasgow> / Department of Electronics and Electrical Engineering ; IEEE catalog number 00TH8534
SP  - 95
EP  - 98
PB  - IEEE Operations Center
CY  - Piscataway, NJ
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Schöning, Michael Josef
A1  - Biselli, Manfred
A1  - Selmer, Thorsten
A1  - Öhlschläger, Peter
A1  - Baumann, Marcus
A1  - Förster, Arnold
A1  - Poghossian, Arshak
T1  - Forschung „zwischen“ den Disziplinen: das Institut für Nano- und Biotechnologien
JF  - Analytik news : das Online-Labormagazin für Labor und Analytik
N2  - "Biologie trifft Mikroelektronik", das Motto des Instituts für Nano- und Biotechnologien (INB) an der FH Aachen, unterstreicht die zunehmende Bedeutung interdisziplinär geprägter Forschungsaktivitäten. Der thematische Zusammenschluss grundständiger Disziplinen, wie die Physik, Elektrotechnik, Chemie, Biologie sowie die Materialwissenschaften, lässt neue Forschungsgebiete entstehen, ein herausragendes Beispiel hierfür ist die Nanotechnologie: Hier werden neue Werkstoffe und Materialien entwickelt, einzelne Nanopartikel oder Moleküle und deren Wechselwirkung untersucht oder Schichtstrukturen im Nanometerbereich aufgebaut, die neue und vorher nicht bekannte Eigenschaften hervorbringen.

Vor diesem Hintergrund bündelt das im Jahre 2006 gegründete INB die an der FH Aachen vorhandenen Kompetenzen von derzeit insgesamt sieben Laboratorien auf den Gebieten der Halbleitertechnik und Nanoelektronik, Nanostrukturen und DNA-Sensorik, der Chemo- und Biosensorik, der Enzymtechnologie, der Mikrobiologie und Pflanzenbiotechnologie, der Zellkulturtechnik, sowie der Roten Biotechnologie synergetisch. In der Nano- und Biotechnologie steckt außergewöhnliches Potenzial! Nicht zuletzt deshalb stellen sich die Forscher der Herausforderung, in diesem Bereich gemeinsam zu forschen und Schnittstellen zu nutzen, um so bei der Gestaltung neuartiger Ideen und Produkte mitzuwirken, die zukünftig unser alltägliches Leben verändern werden.

Im Folgenden werden die verschiedenen Forschungsbereiche kurz zusammenfassend vorgestellt und vorhandene Interaktionen anhand von exemplarisch ausgewählten, aktuellen Forschungsprojekten skizziert.
Y1  - 2012
VL  - Publ. online
PB  - Dr. Beyer Internet-Beratung
CY  - Ober-Ramstadt
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Srnanek, R.
A1  - Geurts, J.
A1  - Lentze, M.
A1  - Irmer, G.
A1  - Donoval, D.
A1  - Brdecka, P.
A1  - Kordos, P.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Sciana, B.
A1  - Radziewicz, D.
A1  - Tlaczala, M.
T1  - Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
JF  - Applied surface science  . 230 (2004), H. 1 -4
Y1  - 2004
SN  - 0169-4332
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0169-4332
SP  - 379
EP  - 385
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Stock, J.
A1  - Malindretos, J.
A1  - Indlekofer, K.M.
A1  - Pöttgens, Michael
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lüth, Hans
T1  - A Vertical Resonant Tunneling Transistor for Application in Digital Logic Circuits
JF  - IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED). 48 (2001), H. 6
Y1  - 2001
SN  - 0018-9383
SP  - 1028
EP  - 1032
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Tillmann, K.
A1  - Förster, Arnold
T1  - Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
JF  - Thin Solid Films. 368 (2000), H. 1
Y1  - 2000
SN  - 0040-6090
SP  - 93
EP  - 104
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Ungermanns, C.
A1  - Ahe, M. v. d.
A1  - Carius, Reinhard
A1  - Förster, Arnold
T1  - Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ...
JF  - Fresenius' Journal of Analytical Chemistry. 358 (1997), H. 1-2
Y1  - 1997
SN  - 0937-0633
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1432-1130
SP  - 101
EP  - 104
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Vitusevich, S. A.
A1  - Förster, Arnold
A1  - Indlekofer, K.-M.
A1  - Lüth, H.
A1  - Belyaev, A. E.
A1  - Glavin, B. A.
A1  - Konakova, R. V.
T1  - Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
JF  - Physical  Review . B. 61 (2000), H. 16
Y1  - 2000
SN  - 1550-235X
SP  - 10898
EP  - 10904
ER  -