TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Tillmann, K.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
JF  - Thin solid films. 261 (1995), H. 1-2
Y1  - 1995
SN  - 0040-6090
SP  - 139
EP  - 147
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Tillmann, K.
A1  - Gerthsen, D.
A1  - Pfundstein, P.
T1  - Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
JF  - Journal of applied physics. 78 (1995), H. 6
Y1  - 1995
SN  - 0021-8979
SP  - 3824
EP  - 3832
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Dekorsy, T.
A1  - Kim, A. T. M.
T1  - Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 3
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 1531
EP  - 1538
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Indlekofer, K.
A1  - Lange, J.
T1  - Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 11
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 7392
EP  - 7402
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Appenzeller, J.
A1  - Schroer, C.
T1  - Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 15
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 9959
EP  - 9963
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Haug, R. J.
T1  - Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 55 (1997), H. 4
Y1  - 1997
SN  - 1095-3795
SP  - 2230
EP  - 2236
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lachenmann, S. G.
A1  - Friedrich, I.
T1  - Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 56 (1997), H. 21
Y1  - 1997
SN  - 1095-3795
SP  - 14108
EP  - 14115
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Daniels, C.
T1  - Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 58 (1998), H. 12
Y1  - 1998
SN  - 1095-3795
SP  - 7864
EP  - 7871
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lauter, J.
A1  - Bauser, E.
T1  - Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
JF  - Nuclear physics B / Proceedings supplements. 44 (1995), H. 1-3
Y1  - 1995
SN  - 0920-5632
SP  - 381
EP  - 385
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lauter, J.
A1  - Protic, D.
A1  - Lüth, H.
T1  - AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ;  D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
JF  - Nuclear instruments and methods in physics research section A: Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment. 356 (1995), H. 2-3
Y1  - 1995
SN  - 0168-9002
SP  - 324
EP  - 329
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Novák, J.
A1  - Morvic, M.
T1  - Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ;  J. Betko ; A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering / B, Solid state materials for advanced technology. 40 (1996), H. 1
Y1  - 1996
SN  - 0921-5107
SP  - 58
EP  - 62
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Leuther, A.
A1  - Lüth, H.
T1  - DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
JF  - Semiconductor science and technology. 11 (1996), H. 5
Y1  - 1996
SN  - 1361-6641
SP  - 766
EP  - 771
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Layet, J. M.
A1  - Lüth, H.
T1  - The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
JF  - Applied Physics A: Materials Science & Processing. 47 (1988), H. 1
Y1  - 1988
SN  - 0947-8396
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1432-0630
SP  - 95
EP  - 97
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Bansal, N. K.
A1  - Müller, C.
A1  - Vieira, M. E.
A1  - Faber, Christian
A1  - Schwarzer, Klemens
T1  - Thermal performance of a rock bed storage system
JF  - Proceedings : University of Stuttgart, Germany, August 28th until September 1st, 2000 / Terrastock 2000, 8th International Conference on Thermal Energy Storage. Ed.: M. Benner ... - Vol. 1
Y1  - 2000
SN  - 3-9805274-1-7
N1  - Terrastock <2000, Stuttgart>  ; Institut für Thermodynamik und Wärmetechnik <Stuttgart>
SP  - 433
EP  - 439
PB  - Inst. für Thermodynamik und Wärmetechnik
CY  - Stuttgart
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lentzen, M.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 60 (1992), H. 1
Y1  - 1992
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 74
EP  - 76
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schäpers, T.
A1  - Krüger, M.
A1  - Appenzeller, J.
T1  - Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 66 (1995), H. 26
Y1  - 1995
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 3603
EP  - 3606
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kordos, P.
A1  - Betko, J.
T1  - Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy /  P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
JF  - Applied physics letters. 67 (1995), H. 7
Y1  - 1995
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 983
EP  - 985
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Tewordt, M.
A1  - Haug, R. J.
T1  - Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 68 (1996), H. 6
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 838
EP  - 840
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Verghese, S.
A1  - Zamdmer, N.
A1  - Hu, Qing
T1  - An optical correlator using a low-temperature-grown GaAs photoconductor / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu .... A. Förster
JF  - Applied physics letters. 69 (1996), H. 6
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 842
EP  - 844
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Betko, J.
A1  - Morvic, M.
A1  - Novak, J.
T1  - Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 69 (1996), H. 17
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 2563
EP  - 2565
ER  -