TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Vitusevich, S. A. A1 - Belyaev, A. E. T1 - Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ... JF - Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics (SQO) : International Scientific Journal. 2 (1999), H. 1 Y1 - 1999 SN - 1605-6582 SP - 7 EP - 10 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Vitusevich, S. A. A1 - Belyaev, B. A. T1 - Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ... JF - Proceedings of the XXVIII International School on Physics of Semiconducting Compounds : Jaszowiec, Poland, June 6 - 11, 1999 / Polish Academy of Sciences, Institute of Physics. Ed. of the proceedings Wojciech Szuszkiewicz Y1 - 1999 N1 - International School on Physics of Semiconducting Compounds <28, 1999, Jaszowiec> ; Acta physica Polonica : A ; 96, no. 5 CY - Warsaw ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lachenmann, S. G. A1 - Friedrich, I. A1 - Uhlisch, D. T1 - Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A. JF - Applied Superconductivity. 6 (1999), H. 10-12 Y1 - 1999 SN - 0964-1807 SP - 681 EP - 688 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Vitusevich, S. A. A1 - Belyaev, A. E. A1 - Indlekofer, K. M. T1 - Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V. JF - Microelectronic Engineering. 46 (1999), H. 1-4 Y1 - 1999 SN - 0167-9317 N1 - International Conference on Micro- and Nanofabrication SP - 169 EP - 172 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Tillmann, K. A1 - Gerthsen, D. A1 - Pfundstein, P. T1 - Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K. JF - Journal of applied physics. 78 (1995), H. 6 Y1 - 1995 SN - 0021-8979 SP - 3824 EP - 3832 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Dekorsy, T. A1 - Kim, A. T. M. T1 - Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 3 Y1 - 1996 SN - 1095-3795 SP - 1531 EP - 1538 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Indlekofer, K. A1 - Lange, J. T1 - Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 11 Y1 - 1996 SN - 1095-3795 SP - 7392 EP - 7402 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Appenzeller, J. A1 - Schroer, C. T1 - Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 15 Y1 - 1996 SN - 1095-3795 SP - 9959 EP - 9963 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Schmidt, T. A1 - Haug, R. J. T1 - Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 55 (1997), H. 4 Y1 - 1997 SN - 1095-3795 SP - 2230 EP - 2236 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lachenmann, S. G. A1 - Friedrich, I. T1 - Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 56 (1997), H. 21 Y1 - 1997 SN - 1095-3795 SP - 14108 EP - 14115 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Ohler, C. A1 - Daniels, C. T1 - Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 58 (1998), H. 12 Y1 - 1998 SN - 1095-3795 SP - 7864 EP - 7871 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lauter, J. A1 - Bauser, E. T1 - Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ... JF - Nuclear physics B / Proceedings supplements. 44 (1995), H. 1-3 Y1 - 1995 SN - 0920-5632 SP - 381 EP - 385 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lauter, J. A1 - Protic, D. A1 - Lüth, H. T1 - AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth JF - Nuclear instruments and methods in physics research section A: Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment. 356 (1995), H. 2-3 Y1 - 1995 SN - 0168-9002 SP - 324 EP - 329 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Novák, J. A1 - Morvic, M. T1 - Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ... JF - Materials science and engineering / B, Solid state materials for advanced technology. 40 (1996), H. 1 Y1 - 1996 SN - 0921-5107 SP - 58 EP - 62 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Zettler, J.-T. A1 - Mikkelsen, H. A1 - Leo, K. T1 - Modulated ellipsometric measurements and transfer-matrix calculation of the field-dependent dielectric function of a multiple quantum well / J.-Th. Zettler ; H. Mikkelsen ; K. Leo ... A. Förster JF - Physical Review B . 46 (1992), H. 24 Y1 - 1992 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 15955 EP - 15962 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lohe, C. A1 - Leuther, A. T1 - Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ... JF - Physical Review B . 47 (1993), H. 7 Y1 - 1993 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 3819 EP - 3826 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Kohleick, R. A1 - Lüth, H. T1 - Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth JF - Physical Review B . 48 (1993), H. 20 Y1 - 1993 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 15138 EP - 15143 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Ohler, C. A1 - Kohleick, R. T1 - Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ... JF - Physical Review B . 50 (1994), H. 11 Y1 - 1994 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 7833 EP - 7837 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Müller, F. A1 - Lengeler, B. A1 - Schäpers, T. T1 - Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster... JF - Physical Review B . 51 (1995), H. 8 Y1 - 1995 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 5099 EP - 5105 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Schmidt, T. A1 - Tewordt, M. A1 - Blick, R. H. T1 - Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ... JF - Physical Review B . 51 (1995), H. 8 Y1 - 1995 SN - 0163-1829 N1 - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795 SP - 5570 EP - 5573 ER -