TY - JOUR A1 - Ungermanns, C. A1 - Ahe, M. v. d. A1 - Carius, Reinhard A1 - Förster, Arnold T1 - Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ... JF - Fresenius' Journal of Analytical Chemistry. 358 (1997), H. 1-2 Y1 - 1997 SN - 0937-0633 N1 - ISSN der E-Ausg.: 1432-1130 SP - 101 EP - 104 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Bertuccio, G. A1 - Pullia, A. T1 - Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ... JF - IEEE transactions on nuclear science. 44 (1997), H. 1 Y1 - 1997 SN - 0018-9499 SP - 1 EP - 5 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Rosenauer, A. A1 - Remmele, T. T1 - Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ... JF - Microscopy of semiconducting materials 1997 : proceedings of the Royal Microscopical Society Conference held at Oxford University, 7 - 10 April 1997 / ed. by A. G. Cullis ... - (Conference series / Institute of Physics ; 157) Y1 - 1997 SN - 0-7503-0464-2 N1 - MSM <10, 1997, Oxford> ; Conference on Microscopy of Semiconducting Materials <10, 1997, Oxford> ; Institut of Physics SP - 39 EP - ff. PB - Institute of Physics CY - Bristol [u.a.] ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Kordos, P. A1 - Ruders, F. T1 - Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster JF - Proceedings : 8 - 11 December 1996, Australian National University, Canberra, Australia / ed.: C. Jagadish Y1 - 1997 SN - 0-7803-3374-8 N1 - Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices <1996, Canberra> ; IEEE catalog number: 96TH8197 SP - 71 EP - ff. PB - IEEE Service Center CY - Piscataway, NJ ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Schmidt, T. A1 - Haug, R. J. T1 - Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ... JF - Physical review letters. 78 (1997), H. 8 Y1 - 1997 SN - 0031-9007 N1 - ISSN der E-Ausg.: 1079-7114 SP - 1544 EP - 1547 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Schmidt, T. A1 - Haug, R. J. T1 - Observation of the local structure of landau bands in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; Vladimir I. Fal'ko ... A. Förster ... JF - Physical review letters. 78 (1997), H. 8 Y1 - 1997 SN - 0031-9007 N1 - ISSN der E-Ausg.: 1079-7114 SP - 1540 EP - 1543 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Rosenauer, A. A1 - Remmele, T. T1 - Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster JF - Optik : international journal for light and electron optics. 105 (1997), H. 3 Y1 - 1997 SN - 0030-4026 SP - 99 EP - 107 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lachenmann, S. G. A1 - Kastalsky, A. T1 - Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ... JF - Journal of low temperature physics. 106 (1997), H. 3-4 Y1 - 1997 SN - 0022-2291 N1 - ISSN der E-Ausg.: 1573-7357 SP - 321 EP - 326 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Hauke, M. A1 - Jakumeit, J. A1 - Krafft, B. T1 - DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H. JF - Journal of Applied Physics. 84 (1998), H. 4 Y1 - 1998 SN - 1089-7550 SP - 2034 EP - 2039 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Griebel, M. A1 - Indlekofer, K. M. A1 - Lüth, H. T1 - Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H. JF - Journal of Applied Physics. 84 (1998), H. 12 Y1 - 1998 SN - 1089-7550 SP - 6719 EP - 6724 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Lachenmann, S. G. A1 - Kastalsky, A. A1 - Uhlisch, D. T1 - Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th. JF - Journal of Applied Physics. 83 (1998), H. 12 Y1 - 1998 SN - 1089-7550 SP - 8077 EP - 8079 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Darmo, J. A1 - Dubecky, F. A1 - Kordos, P. T1 - Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A. JF - Applied Physics Letters. 72 (1998), H. 5 Y1 - 1998 SN - 1077-3118 SP - 590 EP - 592 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Kordos, P. A1 - Marso, M. A1 - Rüders, F. T1 - 550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F. JF - Electronics Letters. 34 (1998), H. 1 Y1 - 1998 SN - 1350-911X SP - 119 EP - 120 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Hartmann, A. A1 - Dieker, Ch. A1 - Hollfelder, M. T1 - Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H. JF - Applied Surface Science. 123-124 (1998) Y1 - 1998 SN - 0169-4332 N1 - = Proceedings of the Sixth International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces SP - 704 EP - 709 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Griebel, M. A1 - Indlekofer, M. A1 - Lüth, H. T1 - Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures JF - Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2 (1998), H. 1-4 Y1 - 1998 SN - 1386-9477 SP - 502 EP - 506 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Malzer, S. A1 - Heber, J. A1 - Peter, M. T1 - Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H. JF - Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2 (1998), H. 1-4 Y1 - 1998 SN - 1386-9477 SP - 349 EP - 352 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Rosenauer, A. A1 - Fischer, U. A1 - Gerthsen, D. T1 - Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A. JF - Ultramicroscopy. 72 (1998), H. 3-4 Y1 - 1998 SN - 0304-3991 SP - 121 EP - 133 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Ohler, C. A1 - Daniels, C. T1 - Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ... JF - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 58 (1998), H. 12 Y1 - 1998 SN - 1095-3795 SP - 7864 EP - 7871 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Morvic, M. A1 - Betko, J. T1 - On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster JF - Physica status solidi / B, Basic research. 205 (1998), H. 1 Y1 - 1998 SN - 1521-3951 SP - 125 EP - 128 ER - TY - JOUR A1 - Förster, Arnold A1 - Döhler, G. H A1 - Heber, J. T1 - Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ... JF - Hot electrons in semiconductors : physics and devices / ed. by N. Balkan. - (Series on semiconductor science and technology ; 5) Y1 - 1998 SN - 0-19-850058-0 SP - 478 EP - 504 PB - Clarendon Press CY - Oxford ER -