TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lüth, Hans
A1  - Schäpers, Thomas
T1  - Die neue Welt
JF  - Spektrum der Wissenschaft (1999)
Y1  - 1999
SN  - 0170-2971
SP  - 90
EP  - 93
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Vitusevich, S. A.
A1  - Belyaev, A. E.
T1  - Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
JF  - Semiconductor  Physics,  Quantum  Electronics  &  Optoelectronics (SQO) : International Scientific Journal. 2 (1999), H. 1
Y1  - 1999
SN  - 1605-6582
SP  - 7
EP  - 10
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Vitusevich, S. A.
A1  - Belyaev, B. A.
T1  - Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes /  S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A.  Belyaev ...
JF  - Proceedings of the XXVIII International School on Physics of Semiconducting Compounds : Jaszowiec, Poland, June 6 - 11, 1999 / Polish Academy of Sciences, Institute of Physics. Ed. of the proceedings Wojciech Szuszkiewicz
Y1  - 1999
N1  - International School on Physics of Semiconducting Compounds <28, 1999, Jaszowiec> ; Acta physica Polonica : A ; 96, no. 5
CY  - Warsaw
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lachenmann, S. G.
A1  - Friedrich, I.
A1  - Uhlisch, D.
T1  - Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
JF  - Applied Superconductivity. 6 (1999), H. 10-12
Y1  - 1999
SN  - 0964-1807
SP  - 681
EP  - 688
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Vitusevich, S. A.
A1  - Belyaev, A. E.
A1  - Indlekofer, K. M.
T1  - Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
JF  - Microelectronic Engineering. 46 (1999), H. 1-4
Y1  - 1999
SN  - 0167-9317
N1  - International Conference on Micro- and Nanofabrication
SP  - 169
EP  - 172
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Tillmann, K.
A1  - Gerthsen, D.
A1  - Pfundstein, P.
T1  - Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
JF  - Journal of applied physics. 78 (1995), H. 6
Y1  - 1995
SN  - 0021-8979
SP  - 3824
EP  - 3832
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Dekorsy, T.
A1  - Kim, A. T. M.
T1  - Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 3
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 1531
EP  - 1538
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Indlekofer, K.
A1  - Lange, J.
T1  - Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 11
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 7392
EP  - 7402
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Appenzeller, J.
A1  - Schroer, C.
T1  - Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 53 (1996), H. 15
Y1  - 1996
SN  - 1095-3795
SP  - 9959
EP  - 9963
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Haug, R. J.
T1  - Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 55 (1997), H. 4
Y1  - 1997
SN  - 1095-3795
SP  - 2230
EP  - 2236
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lachenmann, S. G.
A1  - Friedrich, I.
T1  - Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 56 (1997), H. 21
Y1  - 1997
SN  - 1095-3795
SP  - 14108
EP  - 14115
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Daniels, C.
T1  - Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
JF  - Physical review / B, Condensed matter and materials physics. 58 (1998), H. 12
Y1  - 1998
SN  - 1095-3795
SP  - 7864
EP  - 7871
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lauter, J.
A1  - Bauser, E.
T1  - Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
JF  - Nuclear physics B / Proceedings supplements. 44 (1995), H. 1-3
Y1  - 1995
SN  - 0920-5632
SP  - 381
EP  - 385
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lauter, J.
A1  - Protic, D.
A1  - Lüth, H.
T1  - AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ;  D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
JF  - Nuclear instruments and methods in physics research section A: Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment. 356 (1995), H. 2-3
Y1  - 1995
SN  - 0168-9002
SP  - 324
EP  - 329
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Novák, J.
A1  - Morvic, M.
T1  - Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ;  J. Betko ; A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering / B, Solid state materials for advanced technology. 40 (1996), H. 1
Y1  - 1996
SN  - 0921-5107
SP  - 58
EP  - 62
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Zettler, J.-T.
A1  - Mikkelsen, H.
A1  - Leo, K.
T1  - Modulated ellipsometric measurements and transfer-matrix calculation of the field-dependent dielectric function of a multiple quantum well / J.-Th. Zettler ; H. Mikkelsen ; K. Leo ... A. Förster
JF  - Physical Review B . 46 (1992), H. 24
Y1  - 1992
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 15955
EP  - 15962
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lohe, C.
A1  - Leuther, A.
T1  - Quasi-two-dimensional plasmons of a single &#948;-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 47 (1993), H. 7
Y1  - 1993
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 3819
EP  - 3826
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kohleick, R.
A1  - Lüth, H.
T1  - Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure  / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
JF  - Physical Review B . 48 (1993), H. 20
Y1  - 1993
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 15138
EP  - 15143
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Kohleick, R.
T1  - Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 50 (1994), H. 11
Y1  - 1994
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 7833
EP  - 7837
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Müller, F.
A1  - Lengeler, B.
A1  - Schäpers, T.
T1  - Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
JF  - Physical Review B . 51 (1995), H. 8
Y1  - 1995
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 5099
EP  - 5105
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Tewordt, M.
A1  - Blick, R. H.
T1  - Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
JF  - Physical Review B . 51 (1995), H. 8
Y1  - 1995
SN  - 0163-1829
N1  - 2. ISSN: 1098-0121 ; ISSN der E-Ausg.: 1095-3795
SP  - 5570
EP  - 5573
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kordos, P.
A1  - Marso, M.
T1  - Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 71 (1997), H. 8
Y1  - 1997
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 1118
EP  - 1120
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Rosenauer, A.
A1  - Fischer, U.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
JF  - Applied physics letters. 71 (1997), H. 26
Y1  - 1997
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 3868
EP  - 3870
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lange, J.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
JF  - Journal of Physics D: Applied Physics. 27 (1994), H. 1
Y1  - 1994
SN  - 0022-3727
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1361-6463
SP  - 175
EP  - 178
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Moers, J.
T1  - Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler ; A. Förster ; J. Moers...
JF  - Journal of Physics D: Applied Physics. 30 (1997), H. 10
Y1  - 1997
SN  - 0022-3727
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1361-6463
SP  - 1436
EP  - 1441
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schäpers, T.
A1  - Müller, F.
A1  - Lengeler, B.
T1  - Reflection and transmission of ballistic electrons at a potential barrier / Schäpers, T.  ; Müller, F.  ; Förster, A. ; Lengeler, B. ; Lüth, H.
JF  - Superlattices and microstructures . 14 (1993), H. 1
Y1  - 1993
SN  - 0749-6036
SP  - 57
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Darmo, J.
A1  - Dubecký, F.
A1  - Kordos, P.
T1  - Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering B: Solid&#150; state materials for advanced technology. 28 (1994), H. 1-3
Y1  - 1994
SN  - 0921-5107
SP  - 393
EP  - 396
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Betko, J.
A1  - Kordos, P.
A1  - Kuklovsky, S.
T1  - Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering B: Solid&#150; state materials for advanced technology. 28 (1994), H. 1-3
Y1  - 1994
SN  - 0921-5107
SP  - 147
EP  - 150
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Novak, J.
A1  - Kucera, M.
A1  - Morvic, M.
T1  - Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
JF  - Materials science and engineering B: Solid&#150; state materials for advanced technology. 44 (1997), H. 1-3
Y1  - 1997
SN  - 0921-5107
SP  - 341
EP  - 344
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Rose, D.
A1  - Pietsch, U.
A1  - Metzger, H.
T1  - Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
JF  - Physica B: condensed matter. 198 (1994), H. 1-3
Y1  - 1994
SN  - 0921-4526
SP  - 256
EP  - 258
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Klemradt, U.
A1  - Funke, M.
A1  - Fromm, M
T1  - Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
JF  - Physica B: condensed matter. 221 (1996), H. 1-4
Y1  - 1996
SN  - 0921-4526
SP  - 27
EP  - 33
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Brugger, H.
A1  - Meiners, U.
A1  - Diniz, R.
T1  - Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
JF  - Solid state electronics. 37 (1994), H. 4-6
Y1  - 1994
SN  - 0038-1101
SP  - 801
EP  - 804
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schönhut, J.
A1  - Metzner, C.
T1  - Optical investigation of impurity bands in a delta-doped n-layer / J. Schönhut ; C. Metzner ; S. Müller ... A. Förster ...
JF  - Solid state electronics. 40 (1996), H. 1-8
Y1  - 1996
SN  - 0038-1101
SP  - 701
EP  - 705
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Tewordt, M.
T1  - Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
JF  - Solid state electronics. 40 (1996), H. 1-8
Y1  - 1996
SN  - 0038-1101
SP  - 15
EP  - 19
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Tillmann, K.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
JF  - Thin solid films. 261 (1995), H. 1-2
Y1  - 1995
SN  - 0040-6090
SP  - 139
EP  - 147
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Ohler, C.
A1  - Daniels, C.
T1  - Barrier height at clean Au/InAs(100) interfaces / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
JF  - Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 15 (1997), H. 3
Y1  - 1997
SN  - 0169-4332
SP  - 702
EP  - 706
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Layet, J. M.
A1  - Lüth, H.
T1  - The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
JF  - Applied Physics A: Materials Science & Processing. 47 (1988), H. 1
Y1  - 1988
SN  - 0947-8396
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1432-0630
SP  - 95
EP  - 97
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Lentzen, M.
A1  - Gerthsen, D.
T1  - Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 60 (1992), H. 1
Y1  - 1992
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 74
EP  - 76
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schäpers, T.
A1  - Krüger, M.
A1  - Appenzeller, J.
T1  - Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 66 (1995), H. 26
Y1  - 1995
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 3603
EP  - 3606
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Kordos, P.
A1  - Betko, J.
T1  - Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy /  P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
JF  - Applied physics letters. 67 (1995), H. 7
Y1  - 1995
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 983
EP  - 985
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schmidt, T.
A1  - Tewordt, M.
A1  - Haug, R. J.
T1  - Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 68 (1996), H. 6
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 838
EP  - 840
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Verghese, S.
A1  - Zamdmer, N.
A1  - Hu, Qing
T1  - An optical correlator using a low-temperature-grown GaAs photoconductor / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu .... A. Förster
JF  - Applied physics letters. 69 (1996), H. 6
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 842
EP  - 844
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Betko, J.
A1  - Morvic, M.
A1  - Novak, J.
T1  - Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
JF  - Applied physics letters. 69 (1996), H. 17
Y1  - 1996
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 2563
EP  - 2565
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Verghese, S.
A1  - Zamdmer, N.
A1  - Hu, Qing
T1  - Cryogenic picosecond sampling using fiber-coupled photoconductive switch / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu ; A. Förster
JF  - Applied physics letters. 70 (1997), H. 20
Y1  - 1997
SN  - 0003-6951
N1  - ISSN der E-Ausg.: 1077-3118
SP  - 2644
EP  - 2646
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schäfer, B.-J.
A1  - Londschien, M.
T1  - Arsenic passivation of MOMBE grown GaAs surfaces / B. -J. Schäfer ;  A. Förster ; M. Londschien ...
JF  - Surface Science. 204 (1988), H. 3
Y1  - 1988
SN  - 0039-6028
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0039-6028
SP  - 485
EP  - 490
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Rizzi, Angela
A1  - Lüth, H.
T1  - Epitaxial growth and characterization of Si/NiSi2/Si(111) heterostructures / Angela Rizzi ; A. Förster ; H. Lüth
JF  - Surface Science. 211 - 212 (1989)
Y1  - 1989
SN  - 0039-6028
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0039-6028
SP  - 620
EP  - 629
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Resch, U.
A1  - Essera, N.
A1  - Raptis, Y. S.
T1  - Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces / U. Resch ;  N. Essera ; Y. S. Raptis ... A. Förster ...
JF  - Surface Science. 269-270 (1992)
Y1  - 1992
SN  - 0039-6028
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0039-6028
SP  - 797
EP  - 803
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Schäpers, T.
A1  - Müller, F.
T1  - Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
JF  - Surface Science. 305 (1994), H. 1-3
Y1  - 1994
SN  - 0039-6028
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0039-6028
SP  - 460
EP  - 464
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Layet, J. M.
A1  - Lüth, H.
T1  - Evaluation of dopant profiles and diffusion constants by means of electron energy loss spectroscopy
JF  - Applied Surface Science. 41 - 42 (1989)
Y1  - 1989
SN  - 0169-4332
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0169-4332
SP  - 306
EP  - 311
ER  - 
TY  - JOUR
A1  - Förster, Arnold
A1  - Resch, U.
A1  - Scholz, S. M.
T1  - Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ;  U. Rossow ... A. Förter ...
JF  - Applied Surface Science. 63 (1993), H. 1-4
Y1  - 1993
SN  - 0169-4332
N1  - ISSN der E-Ausg.: 0169-4332
SP  - 106
EP  - 110
ER  -