Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
Verfasserangaben: | Arnold Förster, M. Griebel, K. M. Indlekofer, H. Lüth |
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ISBN: | 1089-7550 |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Journal of Applied Physics. 84 (1998), H. 12 |
Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
Sprache: | Englisch |
Erscheinungsjahr: | 1998 |
Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
Erste Seite: | 6719 |
Letzte Seite: | 6724 |
Link: | http://dx.doi.org/10.1063/1.368998 |
Zugriffsart: | campus |
Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |