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K. M. Indlekofer (4)
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Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Perspectives of resonant tunneling diodes
(2002)
Arnold Förster
;
J. Stock
;
K. M. Indlekofer
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Resonant tunneling in nanocolumns improved by quantum collimation. Wensorra, J.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2005)
Arnold Förster
;
J. Wensorra
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
1
bis
4