English
Anmelden
Open Access
Startseite
Suchen
Browsen
Administration
FAQ
Autor(en)
Alle Wörter
Mindestens ein Wort
Keines der Wörter
Titel
Alle Wörter
Mindestens ein Wort
Keines der Wörter
Weitere Person(en)
Alle Wörter
Mindestens ein Wort
Keines der Wörter
Gutachter
Alle Wörter
Mindestens ein Wort
Keines der Wörter
Zusammenfassung
Alle Wörter
Mindestens ein Wort
Keines der Wörter
Volltext
Alle Wörter
Keines der Wörter
Filtern
Autor
Arnold Förster (18)
(entfernen)
Erscheinungsjahr
2005
(2)
2004
(3)
2002
(1)
2000
(3)
1998
(2)
1997
(2)
1996
(1)
1995
(2)
1994
(2)
Institut
Fachbereich Energietechnik
(18)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(8)
18
Treffer
1
bis
10
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sortieren nach
Jahr
Jahr
Titel
Titel
Autor
Autor
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
M. Mikulics
;
M. Marso
;
I. Cámara Mayorga
;
R. Gusten
;
S. Stancek
;
E. A. Michael
;
R. Schieder
;
M. Wolter
;
D. Buca
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
(2000)
U. Hodel
;
A. Orzati
;
M. Marso
;
O. Homann
;
A. Fox
;
A. v. d. Hart
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
J. Darmo
;
F. Schäffer
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
1
bis
10