OPUS 4 | Search

5 search hits

1 to 5

Sort by

Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A. (1998)

Förster, Arnold ; Darmo, J. ; Dubecky, F. ; Kordos, P.

Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster (1996)

Förster, Arnold ; Darmo, J. ; Dubecký, F. ; Kordos, P.

Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ... (1994)

Förster, Arnold ; Dubecký, F. ; Darmo, J.

Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ... (1994)

Förster, Arnold ; Darmo, J. ; Dubecký, F. ; Kordos, P.

On the spectrometric performance limit of radiation detectors based on semi-insulating GaAs (2004)

Zatko, B. ; Dubecký, F. ; Bohacek, P. ; Gombia, E. ; Frigeri, P. ; Mosca, R. ; Franchi, S. ; Huarn, J. ; Nescas, V. ; Sekacova, M. ; Förster, Arnold ; Kordos, P.

1 to 5