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(2013)
Einschränkung von Taluskippung und -vorschub durch Sprunggelenkorthesen nach fibularer Bandruptur
(2013)
Die fibulare Bandruptur zählt zu einer der am häufigsten auftretenden Verletzungen des
Bewegungsapparats. In den meisten Fällen wird heute die konservativ frühfunktionelle Therapie mit Sprunggelenkorthesen allgemein bevorzugt. Im Rahmen der vorliegenden Studie wurden 14 verschiedene Sprunggelenkorthesen im Hinblick auf ihre Einschränkung von Taluskippung und Talusvorschub
untersucht. Zur Simulation einer fibularen Bandruptur wurde ein Unterschenkelmodell aus Holz mit Fußteil, mit angelegten Orthesen in einen Scheuba-Halteapparat eingespannt und mit 150 N seitlich sowie anterior-posterior belastet. Anhand der erstellten "gehaltenen" Röntgenaufnahmen konnten Taluskippung und Talusvorschub jeder einzelnen Orthese eindeutig bestimmt werden. Die meisten Orthesen erreichten zufriedenstellende Ergebnisse. Es stellte sich heraus, dass vor allem eine eng anliegende, im Gelenkbereich anatomisch angepasste Form vorteilhaft zu sein scheint.
The semiconductor field-effect platform represents a powerful tool for detecting the adsorption and binding of charged macromolecules with direct electrical readout. In this work, a capacitive electrolyte–insulator–semiconductor (EIS) field-effect sensor consisting of an Al-p-Si-SiO2 structure has been applied for real-time in situ electrical monitoring of the layer-by-layer formation of polyelectrolyte (PE) multilayers (PEM). The PEMs were deposited directly onto the SiO2 surface without any precursor layer or drying procedures. Anionic poly(sodium 4-styrene sulfonate) and cationic weak polyelectrolyte poly(allylamine hydrochloride) have been chosen as a model system. The effect of the ionic strength of the solution, polyelectrolyte concentration, number and polarity of the PE layers on the characteristics of the PEM-modified EIS sensors have been studied by means of capacitance–voltage and constant-capacitance methods. In addition, the thickness, surface morphology, roughness and wettabilityof the PE mono- and multilayers have been characterised by ellipsometry, atomic force microscopy and water contact-angle methods, respectively. To explain potential oscillations on the gate surface and signal behaviour of the capacitive field-effect EIS sensor modified with a PEM, a simplified electrostatic model that takes into account the reduced electrostatic screening of PE charges by mobile ions within the PEM has been proposed and discussed.