Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
| Verfasserangaben: | Arnold Förster, S. A. Vitusevich, A. E. Belyaev, K. M. Indlekofer |
|---|---|
| ISBN: | 0167-9317 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Microelectronic Engineering. 46 (1999), H. 1-4 |
| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1999 |
| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
| Erste Seite: | 169 |
| Letzte Seite: | 172 |
| Bemerkung: | International Conference on Micro- and Nanofabrication |
| Link: | http://dx.doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00055-6 |
| Zugriffsart: | bezahl |
| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |
