Loss mechanisms and domain stabilization in doped BaTiO₃
| Verfasserangaben: | Hans-Jürgen Hagemann |
|---|---|
| DOI: | https://doi.org/10.1088/0022-3719/11/15/031 |
| ISBN: | 0022-3719 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Journal of Physics C: Solid State Physics |
| Verlag: | n.a. |
| Verlagsort: | London |
| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1978 |
| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
| Jahrgang: | 11 |
| Ausgabe / Heft: | 15 |
| Erste Seite: | 3333 |
| Letzte Seite: | 3344 |
| Link: | https://doi.org/10.1088/0022-3719/11/15/031 |
| Zugriffsart: | campus |
| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
