Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
| Verfasserangaben: | Arnold Förster, M. Griebel, K. M. Indlekofer, H. Lüth |
|---|---|
| ISBN: | 1089-7550 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Journal of Applied Physics. 84 (1998), H. 12 |
| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1998 |
| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
| Erste Seite: | 6719 |
| Letzte Seite: | 6724 |
| Link: | http://dx.doi.org/10.1063/1.368998 |
| Zugriffsart: | campus |
| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |
