Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
| Verfasserangaben: | Arnold Förster, J. Darmo, F. Dubecky, P. Kordos |
|---|---|
| ISBN: | 1077-3118 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Applied Physics Letters. 72 (1998), H. 5 |
| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1998 |
| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
| Erste Seite: | 590 |
| Letzte Seite: | 592 |
| Link: | http://dx.doi.org/10.1063/1.120815 |
| Zugriffsart: | campus |
| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |
