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Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range

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Verfasserangaben:J. Darmo, F. Schäffer, Arnold Förster, P. Kordos
ISBN:0780359399
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):ASDAM 2000 : conference proceedings / edited by Jozef Osvald ... [et al.]
Verlag:IEEE
Verlagsort:Piscataway, NJ
Dokumentart:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Erscheinungsjahr:2000
Datum der Publikation (Server):18.12.2012
Umfang:XI, 481 S.: Ill
Erste Seite:147
Letzte Seite:150
Bemerkung:
International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ; (3rd : ; 2000 : ; Smolenice, Slovakia)
Link:http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2000.889470
Zugriffsart:campus
Fachbereiche und Einrichtungen:FH Aachen / Fachbereich Energietechnik
FH Aachen / INB - Institut für Nano- und Biotechnologien