Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
Verfasserangaben: | Arnold Förster, J. Darmo, F. Dubecky, P. Kordos |
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ISBN: | 1077-3118 |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Applied Physics Letters. 72 (1998), H. 5 |
Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
Sprache: | Englisch |
Erscheinungsjahr: | 1998 |
Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
Erste Seite: | 590 |
Letzte Seite: | 592 |
Link: | http://dx.doi.org/10.1063/1.120815 |
Zugriffsart: | campus |
Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |