Metadaten| Verfasserangaben: | Hans-Jürgen Hagemann, Wiliam D. Cassidy |
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| ISBN: | 1-55899-239-1 |
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| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Diamond, SiC and nitride wide bandgap semiconductors : symposium held April 4 - 8, 1994, San Francisco, California, U.S.A. / ed.: Calvin H. Carter, Jr. .... |
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| Verlagsort: | Pittsburgh, Penn. , |
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| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
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| Sprache: | Englisch |
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| Erscheinungsjahr: | 1994 |
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| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
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| Umfang: | XV, 760 S. : Ill., graph. Darst. |
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| Erste Seite: | 285 |
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| Letzte Seite: | 291 |
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| Bemerkung: | Materials Research Society symposium proceedings ; 339 |
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| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
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