Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (143)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(2)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Document Type
Article (143)
(remove)
Language
English (143)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(24)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(1)
143
search hits
131
to
140
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Arnold Förster
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
M. Mikulics
;
M. Marso
;
I. Cámara Mayorga
;
R. Gusten
;
S. Stancek
;
E. A. Michael
;
R. Schieder
;
M. Wolter
;
D. Buca
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R.
(2006)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
S. Wu
;
M. Marso
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes / Simone Montanari ; Arnold Förster ; Mihail Ion Lepsa ; Hans Lüth
(2005)
Arnold Förster
;
Simone Montanari
;
Mihail Ion Lepsa
;
Hans Lüth
131
to
140