Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (142)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(2)
+ more
Language
English (142)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik (142)
(remove)
142
search hits
31
to
40
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
T. H. Metzger
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
M. Thust
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
A. Leuther
;
H. Lüth
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
M. Krüger
;
J. Appenzeller
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Appenzeller
;
C. Schroer
31
to
40