Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (145)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article (145)
(remove)
Language
English
(143)
German
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(143)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
145
search hits
21
to
40
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Arnold Förster
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Arnold Förster
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
;
P. Pfundstein
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
E. Bauser
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
D. Protic
;
H. Lüth
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. H. Blick
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
M. Krüger
;
J. Appenzeller
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
21
to
40