Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (146)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Language
English
(143)
German
(3)
Has Fulltext
no (146)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
146
search hits
101
to
120
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
F. Ruders
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Arnold Förster
;
U. Klemradt
;
M. Funke
;
M Fromm
Nonlinear charging effect of quantum dots in a p-i-n diode. Kiesslich, G.; Wacker, A.; Scholl, E.; Vitusevich, S.A.; Belyaev, A.E.; Danylyuk, S.V.; Forster, A.; Klein, N.; Henini, M.
(2003)
Arnold Förster
;
G. Kiesslich
;
A. Wacker
;
E. Scholl
Fabrication of GaAs symmetric pyramidal mesas prepared by wet-chemical etching using AlAs interlayer. Kicin, S.; Cambel, V.; Kuliffayova, M.; Gregusova, D.; Kovacova, E.; Novak, J.; Kostic, I.; Forster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
S Kicin
;
V. Cambel
;
M. Kuliffayova
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Arnold Förster
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
Quing Hu
;
S. Verghese
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
101
to
120