Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (146)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Language
English
(143)
German
(3)
Has Fulltext
no (146)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
146
search hits
61
to
80
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces / U. Resch ; N. Essera ; Y. S. Raptis ... A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
N. Essera
;
Y. S. Raptis
Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler ; A. Förster ; J. Moers...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
Barrier height at clean Au/InAs(100) interfaces / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Novák
;
M. Morvic
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
J. Novak
;
M. Kucera
;
M. Morvic
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes / Simone Montanari ; Arnold Förster ; Mihail Ion Lepsa ; Hans Lüth
(2005)
Arnold Förster
;
Simone Montanari
;
Mihail Ion Lepsa
;
Hans Lüth
Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R.
(2006)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
S. Wu
;
M. Marso
Generation of 460 GHz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs. Mikulics, M.; Siebe, F.; Fox, A.; Marso, M.; Forster, A.; Stuer, H.; Schafer, F.; Gusten, R.; Kordos, P.
(2002)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
F. Siebe
;
A. Fox
Low-temperature-grown MBE GaAs for terahertz photomixers. Mikulics, M.; Marso, M.; Adam, R.; Fox, A.; Buca, D.; Förster, A.; Kordos, P.; Xu, Y.; Sobolewski, R.
(2001)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
M. Marso
;
R. Adam
Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices. Marso, M.; Mikulics, V. V.; Adam, R.; Wu, S.; Zheng, X.; Camara, I.; Siebe, N. Y.; Förster, A.; Güsten, R.; Kordos, P.; Sobolewski, R.
(2005)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
V. V. Mikulics
;
R. Adam
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
Homogeneity analysis of ion-implanted resonant tunnelling diodes for applications in digital logic circuits. Malindretos, Jörg; Förster, Arno; Indlekofer, Klaus Michael; Lepsa, Mihail Ion; Hardtdegen, Hilde; Schmidt, Roland; Luth, Hans
(2002)
Arnold Förster
;
Jörg Malindretos
;
Klaus Michael Indlekofer
;
Mihail Ion Lepsa
61
to
80