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Influence of the gas phase on diamond deposition and diamond properties. Bachmann, P. K.; Hagemann, H.J.; Lade, H.; Leers, D.; Picht, F.; Wiechert, D. U.
(1994)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. K. Bachmann
;
H. Lade
;
D. Leers
Akzeptorionen in BaTiO3 und SrTiO3 und ihre Auswirkungen auf die Eigenschaften von Titanatkeramiken
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
BaTiO3 dotiert mit 3d-Ionen: Valenzen, Leerstellen und ihre Auswirkungen. Hagemann, H. J.; Ihrig, H.
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
;
H. Ihrig
Abscheidegeschwindigkeiten und Prozeßausbeuten im PCVD-Verfahren. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Schnittker, W.; Warnier, J.; Weling, F.; Wilson, H.
(1989)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
W. Schnittker
;
J. Warnier
Störstellengleichgewichte in eisendotierten Titanaten. Hagemann, H. J.
(1989)
Hans-Jürgen Hagemann
The valence change of Fe in BaTiO3 studied by Mößbauer effect and gravimetry. Hagemann, H. J.; Hero, A.; Gonser, U.
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
;
A. Hero
;
U. Gonser
Reversible Weight change of acceptor-doped BaTiO3. Hagemann, H. J.; Hennings, D.
(1981)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
Ceramic multilayer capacitors. Hagemann, H. J.; Hennings, D.; Wernicke, R.
(1984)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
;
R. Wernicke
Keramische Vielschichtkondensatoren. Hagemann, H. J.; Hennings, D.; Wernicke, R.
(1984)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
;
R. Wernicke
The influence of contact effects on the dielectric behavior of diffuse phase transitions. Stumpe, R.; Wagner, D.; Bäuerle, D.; Hagemann, H. J.
(1985)
Hans-Jürgen Hagemann
;
R. Stumpe
;
D. Wagner
;
D. Bäuerle
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