OPUS 4 | Search

Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ... (1995)

Förster, Arnold ; Tillmann, K. ; Gerthsen, D.

Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ... (1995)

Förster, Arnold ; Lentzen, M. ; Gerthsen, D.

Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ... (1993)

Förster, Arnold ; Dieker, Christel ; Gerthsen, D. ; Lange, J. ; Lüth, Hans

AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ... (1993)

Walther, T. ; Gerthsen, D. ; Carius, Reinhard ; Förster, Arnold

Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ... (1995)

Förster, Arnold ; Tillmann, K. ; Gerthsen, D.

Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ... (1992)

Förster, Arnold ; Lentzen, M. ; Gerthsen, D.