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Year of publication

  • 2000 (1)
  • 1999 (1)
  • 1998 (1)
  • 1997 (3)

Institute

  • Fachbereich Energietechnik (6)
  • INB - Institut für Nano- und Biotechnologien (1)

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Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy (2000)
A. Rosenauer ; W. Oberst ; D. Litvinov ; D. Gerthsen ; Arnold Förster ; R. Schmidt
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A. (1999)
Arnold Förster ; A. Rosenauer ; W. Oberst ; D. Gerthsen
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A. (1998)
Arnold Förster ; A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ... (1997)
Arnold Förster ; A. Rosenauer ; T. Remmele
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster (1997)
Arnold Förster ; A. Rosenauer ; T. Remmele
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster (1997)
Arnold Förster ; A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen
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