Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
+ more
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
41
to
60
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Bertuccio, G.
;
Pullia, A.
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Förster, Arnold
;
Brugger, H.
;
Meiners, U.
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Dubecky, F..
;
Darmo, J.
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Förster, Arnold
;
Dieker, C.
;
Gerthsen, D.
AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ...
(1993)
Walther, T.
;
Gerthsen, D.
;
Carius, Reinhard
;
Förster, Arnold
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Hardtdegen, Hilde
;
Ungermanns, C.
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Lentzen, M.
;
Gerthsen, D.
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, T. H.
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Remmele, T.
Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Ruders, F.
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Hu, Quing
;
Verghese, S.
Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Thust, M.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
41
to
60