Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(3)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
61
to
80
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Observation of the local structure of landau bands in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; Vladimir I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Remmele, T.
Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ...
(1997)
Ungermanns, C.
;
Ahe, M. v. d.
;
Carius, Reinhard
;
Förster, Arnold
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Förster, Arnold
;
Janssen, G.
;
Roer, T. G. van de
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Förster, Arnold
Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R.
(2006)
Förster, Arnold
;
Mikulics, M.
;
Wu, S.
;
Marso, M.
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Förster, Arnold
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hauke, M.
;
Jakumeit, J.
;
Krafft, B.
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K. M.
;
Lüth, H.
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
;
Uhlisch, D.
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Fridrich, I.
;
Schäpers, T.
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
;
McIntosh, K. A.
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecký, F.
;
Kordos, P.
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Kordos, P.
;
Kuklovsky, S.
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Novak, J.
;
Kucera, M.
;
Morvic, M.
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, H.
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Klemradt, U.
;
Funke, M.
;
Fromm, M
61
to
80