Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
+ more
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
71
to
120
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hauke, M.
;
Jakumeit, J.
;
Krafft, B.
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K. M.
;
Lüth, H.
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
;
Uhlisch, D.
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Fridrich, I.
;
Schäpers, T.
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
;
McIntosh, K. A.
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecký, F.
;
Kordos, P.
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Kordos, P.
;
Kuklovsky, S.
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Novak, J.
;
Kucera, M.
;
Morvic, M.
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, H.
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Klemradt, U.
;
Funke, M.
;
Fromm, M
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Brugger, H.
;
Meiners, U.
;
Diniz, R.
Optical investigation of impurity bands in a delta-doped n-layer / J. Schönhut ; C. Metzner ; S. Müller ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schönhut, J.
;
Metzner, C.
Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Tewordt, M.
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
;
Pfundstein, P.
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Dekorsy, T.
;
Kim, A. T. M.
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Indlekofer, K.
;
Lange, J.
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Appenzeller, J.
;
Schroer, C.
Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Friedrich, I.
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Daniels, C.
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Bauser, E.
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Protic, D.
;
Lüth, H.
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Novák, J.
;
Morvic, M.
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Leuther, A.
;
Lüth, H.
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Förster, Arnold
;
Layet, J. M.
;
Lüth, H.
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Förster, Arnold
;
Lentzen, M.
;
Gerthsen, D.
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Schäpers, T.
;
Krüger, M.
;
Appenzeller, J.
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Tewordt, M.
;
Haug, R. J.
An optical correlator using a low-temperature-grown GaAs photoconductor / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu .... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Verghese, S.
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Morvic, M.
;
Novak, J.
Cryogenic picosecond sampling using fiber-coupled photoconductive switch / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Verghese, S.
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
Modulated ellipsometric measurements and transfer-matrix calculation of the field-dependent dielectric function of a multiple quantum well / J.-Th. Zettler ; H. Mikkelsen ; K. Leo ... A. Förster
(1992)
Förster, Arnold
;
Zettler, J.-T.
;
Mikkelsen, H.
;
Leo, K.
Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
(1993)
Förster, Arnold
;
Lohe, C.
;
Leuther, A.
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Förster, Arnold
;
Kohleick, R.
;
Lüth, H.
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Kohleick, R.
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Förster, Arnold
;
Müller, F.
;
Lengeler, B.
;
Schäpers, T.
Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Tewordt, M.
;
Blick, R. H.
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Fischer, U.
;
Gerthsen, D.
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Förster, Arnold
;
Lange, J.
;
Gerthsen, D.
Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler ; A. Förster ; J. Moers...
(1997)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Moers, J.
Reflection and transmission of ballistic electrons at a potential barrier / Schäpers, T. ; Müller, F. ; Förster, A. ; Lengeler, B. ; Lüth, H.
(1993)
Förster, Arnold
;
Schäpers, T.
;
Müller, F.
;
Lengeler, B.
Epitaxial growth and characterization of Si/NiSi2/Si(111) heterostructures / Angela Rizzi ; A. Förster ; H. Lüth
(1989)
Förster, Arnold
;
Rizzi, Angela
;
Lüth, H.
Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces / U. Resch ; N. Essera ; Y. S. Raptis ... A. Förster ...
(1992)
Förster, Arnold
;
Resch, U.
;
Essera, N.
;
Raptis, Y. S.
Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Schäpers, T.
;
Müller, F.
Evaluation of dopant profiles and diffusion constants by means of electron energy loss spectroscopy
(1989)
Förster, Arnold
;
Layet, J. M.
;
Lüth, H.
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Förster, Arnold
;
Resch, U.
;
Scholz, S. M.
71
to
120