Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
+ more
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
81
to
100
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Brugger, H.
;
Meiners, U.
;
Diniz, R.
Optical investigation of impurity bands in a delta-doped n-layer / J. Schönhut ; C. Metzner ; S. Müller ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schönhut, J.
;
Metzner, C.
Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Tewordt, M.
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
;
Pfundstein, P.
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Dekorsy, T.
;
Kim, A. T. M.
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Indlekofer, K.
;
Lange, J.
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Appenzeller, J.
;
Schroer, C.
Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Friedrich, I.
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Daniels, C.
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Bauser, E.
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Protic, D.
;
Lüth, H.
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Novák, J.
;
Morvic, M.
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Leuther, A.
;
Lüth, H.
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Förster, Arnold
;
Layet, J. M.
;
Lüth, H.
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Förster, Arnold
;
Lentzen, M.
;
Gerthsen, D.
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Schäpers, T.
;
Krüger, M.
;
Appenzeller, J.
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Tewordt, M.
;
Haug, R. J.
81
to
100