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Hagemann, Hans-Jürgen
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Geittner, P.
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Lade, H.
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Leers, D.
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Warnier, J.
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Hennings, D.
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Abscheidegeschwindigkeiten und Prozeßausbeuten im PCVD-Verfahren. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Schnittker, W.; Warnier, J.; Weling, F.; Wilson, H.
(1989)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Geittner, P.
;
Schnittker, W.
;
Warnier, J.
BaTiO3 dotiert mit 3d-Ionen: Valenzen, Leerstellen und ihre Auswirkungen. Hagemann, H. J.; Ihrig, H.
(1980)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Ihrig, H.
Ceramic multilayer capacitors. Hagemann, H. J.; Hennings, D.; Wernicke, R.
(1984)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Hennings, D.
;
Wernicke, R.
Collaborative eLearning Concepts for University Level Online Laboratory Courses in Engineering. U. Backhaus, S. Goessner, H. J. Hagemann
(2002)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Backhaus, U.
;
Goessner, S.
CVD Diamond Growth: Gas Compositions and Film Properties / P.K. Bachmann, H.J. Hagemann, H. Lade, D. Leers, D.U. Wiechert and H. Wilson
(1994)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Bachmann, P.K.
;
Lade, H.
;
Leers, D.
Diamond chemical vapor deposition: gas compositions and film properties / Bachmann, P.K.; Hagemann, H.-J.; Lade, H; Leers, D.; Picht, F.; Wiechert, D.U.; Wilson, H.
(1994)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Bachmann, P.K.
;
Lade, H.
;
Leers, D.
Diamond growth rates and quality: dependence on gas phase cpmposition / William D. Cassidy [...], Hans-Jurgen Hagemann
(1994)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Cassidy, Wiliam D.
Electrical properties of acceptor-doped BaTiO3 ceramic. Hagemann, H. J.
(1978)
Hagemann, Hans-Jürgen
Folientechnologie für zukünftige keramische Vielschichtkondensatoren. Geittner, P.; Hagemann, H.-J.;Mayr, W. ; Opitz, J.F.A. ; Schmidl, B.; Warnier, J.
(1993)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
Geittner, P.
;
Mayr, W.
;
Opitz, J. F. A.
Grain boundary and surface segragation of Ba-Ti-O-Phases in rutile. O´Bryan, H. M.; Hagemann, H. J.
(1987)
Hagemann, Hans-Jürgen
;
O´Bryan, H. M.
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