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550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
;
Rüders, F.
Aktuelle Fragen zur Schweißmetallurgie. Neue Werkstoffe und ihre schweißtechnische Verarbeitung = Current questions on welding metallurgy
(1998)
Dören, Horst-Peter
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Beispiele für EMV-Maßnahmen in großflächigen Anlagen
(1998)
Kern, Alexander
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Fischer, U.
;
Gerthsen, D.
Druckindustrielle Innovation
(1998)
Thielemann, Frank
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hauke, M.
;
Jakumeit, J.
;
Krafft, B.
Entscheidungsunterstützung bei der Gestaltung der betrieblichen Energieversorgung und -nutzung
(1998)
Kuperjans, Isabel
;
Schreiber, M.
;
Determann, L.
;
Schreiber, R.
Ertüchtigung des Blitzschutzsystems für ein Bürogebäude auf der Basis von VDE V 0185 Teil 100 (ENV 61024-1) und VDE 0185 Teil 103 (IEC 1312-1)
(1998)
Kern, Alexander
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Daniels, C.
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