Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster
(14)
D. Gerthsen
(4)
Bernd Kriegesmann
(3)
Frank Thielemann
(3)
K. Tillmann
(3)
Alexander Kern
(2)
Arno Hardt
(2)
Christian Faber
(2)
Erich Staudt
(2)
J. Betko
(2)
J. Lauter
(2)
Klemens Schwarzer
(2)
P. Kordos
(2)
T. Schäpers
(2)
B. Lengeler
(1)
C. Ungermanns
(1)
C. Weinzierl
(1)
Christoph Helsper
(1)
D. Protic
(1)
D. Rose
(1)
+ more
Year of publication
1995 (24)
(remove)
Document Type
Article
(21)
Book
(2)
Part of a Book
(1)
Language
English
(16)
German
(8)
Institute
Fachbereich Energietechnik (24)
(remove)
24
search hits
11
to
20
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
E. Bauser
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
D. Protic
;
H. Lüth
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. H. Blick
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
M. Krüger
;
J. Appenzeller
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
11
to
20