English
Anmelden
Open Access
Startseite
Suchen
Browsen
Administration
FAQ
Filtern
Autor
J. Darmo (6)
(entfernen)
Erscheinungsjahr
2002
(1)
2000
(1)
1998
(1)
1996
(1)
1994
(2)
Institut
Fachbereich Energietechnik
(6)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(1)
6
Treffer
1
bis
6
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sortieren nach
Jahr
Jahr
Titel
Titel
Autor
Autor
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
J. Darmo
;
F. Schäffer
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
1
bis
6