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Innovationsintegral Mittelstand : Kompetenzentwicklung in Medienkooperationen. Ciesinger, Kurt-Georg ; Siebecke, Dagmar ; Thielemann, Frank
(1999)
Thielemann, Frank
;
Ciesinger, Kurt-Georg
;
Siebecke, Dagmar
Die Anfertigung wissenschaftlicher Arbeiten und ihre Präsentation - ein komprimierter Einstieg
(1999)
Thielemann, Frank
Bilanzen - ein komprimierter Überblick : Intensivkurs zum betrieblichen Rechnungswesen
(1999)
Thielemann, Frank
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Morvic, M.
;
Novak, J.
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
;
Novak, J.
Gutachten zu möglichen Strahlenexpositionen durch äußere radioaktive Kontaminationen an Transportbehältern oder Transportwaggons beim Transport von abgebrannten Brennelementen nach Frankreich / Auftraggeber: Staatsanwaltschaft Hanau
(1999)
Schwarzer, Klemens
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Friedrich, I.
;
Uhlisch, D.
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Förster, Arnold
;
Vitusevich, S. A.
;
Belyaev, A. E.
;
Indlekofer, K. M.
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Förster, Arnold
;
Vitusevich, S. A.
;
Belyaev, A. E.
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Förster, Arnold
;
Vitusevich, S. A.
;
Belyaev, B. A.
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Marso, M.
;
Gersdorf, P.
;
Fox, A.
Die neue Welt
(1999)
Förster, Arnold
;
Lüth, Hans
;
Schäpers, Thomas
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K.M.
;
Lüth, H.
Mode-Discriminating Photoconductor and Coplanar Wave-Guide Circuits for Picosecond Sampling. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; Verghese, S. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
;
Verghese, S.
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Oberst, W.
;
Gerthsen, D.
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Fridrich, I.
;
Schäpers, T.
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
;
McIntosh, K. A.
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