Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(143)
Conference Proceeding
(1)
Language
English (144)
(remove)
Has Fulltext
no
(143)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
144
search hits
131
to
144
Export
BibTeX
CSV
RIS
100
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
The Schottky barrier at the InSb(110)–Sn interface
(1987)
Arnold Förster
;
A. Tulke
;
H. Lüth
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
K.-M. Indlekofer
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
B. A. Glavin
;
R. V. Konakova
Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R.
(2006)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
S. Wu
;
M. Marso
Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates
(2005)
M. Mikulics
;
R. Adam
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
H. Lüth
;
S. Wu
;
X. Zheng
;
R. Sobolewski
Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices. Marso, M.; Mikulics, V. V.; Adam, R.; Wu, S.; Zheng, X.; Camara, I.; Siebe, N. Y.; Förster, A.; Güsten, R.; Kordos, P.; Sobolewski, R.
(2005)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
V. V. Mikulics
;
R. Adam
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Arnold Förster
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
R. C. P. Hoskens
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
;
T.G. van de Roer
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Novák
;
M. Morvic
131
to
144