Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Article
Refine
Author
Arnold Förster (145)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article (145)
(remove)
Language
English
(143)
German
(2)
Has Fulltext
no (145)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(143)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
145
search hits
11
to
30
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Dieker
;
D. Gerthsen
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
11
to
30