Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(2)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Document Type
Article
(143)
Conference Proceeding
(1)
Language
English (144)
(remove)
Has Fulltext
no
(143)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
144
search hits
111
to
130
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
T. H. Metzger
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Arnold Förster
Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Lohe
;
A. Leuther
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Reflection and transmission of ballistic electrons at a potential barrier / Schäpers, T. ; Müller, F. ; Förster, A. ; Lengeler, B. ; Lüth, H.
(1993)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
;
B. Lengeler
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
111
to
130