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GaAs-based Gunn diodes with graded AlGaAs hot electron injector heterostructures have been developed under the special needs in automotive applications. The fabrication of the Gunn diode chips was based on total substrate removal and processing of integrated Au heat sinks. Especially, the thermal and RF behavior of the diodes have been analyzed by DC, impedance and S-parameter measurements. The electrical investigations have revealed the functionality of the hot electron injector. An optimized layer structure could fulfill the requirements in adaptive cruise control (ACC) systems at 77 GHz with typical output power between 50 and 90 mW.
Studienbeiträge Die schwere Geburt des Studienbeitragsgesetzes Forschung Erfindungen für die Praxis Antikensammlung inszeniert in geschwungener Ebenenkonstruktion Doppelt hält besser Studium und Lehre Kreative Höhenflüge im Weinberg von Piemont Nach "Bauhaus Europa" jetzt "Kunsthaus Aachen" Beton - Es kommt drauf an, was man draus macht "Ein Stück Raumfahrtsystem" Film ab im Cinekaree Umstellung auf Bachelor- und Master-Abschlüsse beispielhaft Herausragende architektonische Umsetzung geehrt Erdbeobachtung im Taschenformat Die Hygiene im Handgepäck Eintauchen in die Welt von "sub-ten" Symposium zur 1. Flugmesswoche des FB 6 Personen Konsul mit Zeitungsente Der richtige Mann am richtigen Ort Urlaub fürs Ehrenamt 101 und ziemlich weise Goldene Auszeichnung für die Dekanin Wir feiern heute unsere Eliten Eigene Faszination für den Lehrstoff fesselt Studierende Personalia Horst Rambau: Endstation Selbstständigkeit? Der gute Ruf reicht bis Teheran Alumni "Regen ist gut für unser Geschäft" FH-Studenten aus Jülich in der Wissenschaft erfolgreich Miss und Mister FH 2005 International Vor 20 Jahren begann es! "Heute ist ein guter Tag für die Fachhochschule" Service Bologna ist längst bei den Hochschulen angekommen Auch Lehrer lernen nie aus Was ist eigentlich das Freshman-Year "Zeile für Zeile"
Functional testing and characterisation of ISFETs on wafer level by means of a micro-droplet cell
(2006)
A wafer-level functionality testing and characterisation system for ISFETs (ionsensitive field-effect transistor) is realised by means of integration of a specifically designed capillary electrochemical micro-droplet cell into a commercial wafer prober-station. The developed system allows the identification and selection of “good” ISFETs at the earliest stage and to avoid expensive bonding, encapsulation and packaging processes for nonfunctioning ISFETs and thus, to decrease costs, which are wasted for bad dies. The developed system is also feasible for wafer-level characterisation of ISFETs in terms of sensitivity, hysteresis and response time. Additionally, the system might be also utilised for wafer-level testing of further electrochemical sensors.