Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(143)
Conference Proceeding
(1)
Language
English (144)
(remove)
Has Fulltext
no
(143)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
144
search hits
11
to
30
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
The Schottky barrier at the InSb(110)–Sn interface
(1987)
Arnold Förster
;
A. Tulke
;
H. Lüth
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
The adsorption of fluor-carbon complexes on GaAs(110) studied by electron energy loss spectroscopy
(1986)
Arnold Förster
;
A. Spitzer
;
H. Lüth
Surface reactions of trimethylgallium and trimethylarsenic on silicon surfaces
(1989)
Arnold Förster
;
H. Lüth
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
R. Srnanek
;
J. Geurts
;
M. Lentze
;
G. Irmer
;
D. Donoval
;
P. Brdecka
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
B. Sciana
;
D. Radziewicz
;
M. Tlaczala
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
;
P. Pfundstein
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
11
to
30