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Shielding effectiveness of reinforced concrete cable ducts carrying partial lightning currents
(1998)
Kern, Alexander
;
Zischank, Wolfgang J.
;
Heidler, Fridolin
;
Wiesinger, J. [u.a.]
Beispiele für EMV-Maßnahmen in großflächigen Anlagen
(1998)
Kern, Alexander
Ertüchtigung des Blitzschutzsystems für ein Bürogebäude auf der Basis von VDE V 0185 Teil 100 (ENV 61024-1) und VDE 0185 Teil 103 (IEC 1312-1)
(1998)
Kern, Alexander
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, M.
;
Lüth, H.
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Malzer, S.
;
Heber, J.
;
Peter, M.
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Fischer, U.
;
Gerthsen, D.
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Döhler, G. H
;
Heber, J.
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
;
Rüders, F.
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hartmann, A.
;
Dieker, Ch.
;
Hollfelder, M.
Druckindustrielle Innovation
(1998)
Thielemann, Frank
Mit vereinten Kräften
(1998)
Thielemann, Frank
Mit strategischen Allianzen ins nächste Jahrtausend
(1998)
Thielemann, Frank
Kooperationsverhalten in der Druckindustrie - zwischen Bestandssicherung und Offensive. Staudt, Erich; Kriegesmann, Bernd; Thielemann, Frank
(1998)
Thielemann, Frank
;
Staudt, Erich
;
Kriegesmann, Bernd
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hauke, M.
;
Jakumeit, J.
;
Krafft, B.
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K. M.
;
Lüth, H.
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
;
Uhlisch, D.
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Ohler, C.
;
Daniels, C.
Level scheme of 194Ir / M. Balodis ; P. Prokofjevs ... F. Hoyler ...
(1998)
Hoyler, Friedrich
;
Balodis, M.
;
Prokofjevs, P.
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