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Grain boundary and surface segragation of Ba-Ti-O-Phases in rutile. O´Bryan, H. M.; Hagemann, H. J.
(1987)
Hans-Jürgen Hagemann
;
H. M. O´Bryan
Influence of the gas phase on diamond deposition and diamond properties. Bachmann, P. K.; Hagemann, H.J.; Lade, H.; Leers, D.; Picht, F.; Wiechert, D. U.
(1994)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. K. Bachmann
;
H. Lade
;
D. Leers
The performance of Depressed-Cladding Single-Mode Fibres with Different b/a Ratios. Hagemann, H.-J.; Lade, H.; Warnier, J.; Wiechert, D. U.
(1991)
Hans-Jürgen Hagemann
;
H. Lade
;
J. Warnier
;
D. U. Wiechert
Measurements and calculations of the LP01 intensity of SM fibres far off the core. Hagemann, H.-J.; Wiechert, D. U.
(1992)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. U. Wiechert
PCVD hybrid technology for single mode fibres. Hagemann, H. J.; Geittner, P.
(1990)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
PCVD at high deposition rates. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Warnier, J.; Wilson, H.
(1986)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
J. Warnier
;
H. Wilson
Hybrid technology for large SM-fiber preforms. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Lydtin, H.; Warnier, J.
(1988)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
H. Lydtin
;
J. Warnier
Optical time domain reflectometry (OTDR) of diameter modulations in single-mode fibers. Hagemann, H. J.; Ungelenk, J.; Wiechert, D. U.
(1990)
Hans-Jürgen Hagemann
;
J. Ungelenk
;
D. U. Wiechert
Intrinsic scattering and absorption losses of Ge- and F-doped optical fibres prepared by PCVD. Geittner, P.; Hagemann, H. J. ; Leers, D.
(1989)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
D. Leers
The influence of contact effects on the dielectric behavior of diffuse phase transitions. Stumpe, R.; Wagner, D.; Bäuerle, D.; Hagemann, H. J.
(1985)
Hans-Jürgen Hagemann
;
R. Stumpe
;
D. Wagner
;
D. Bäuerle
Reduction of geometric taper losses in the PCVD process. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Warnier, J.; Weling, F.; Wilson, H.
(1985)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
J. Warnier
;
F. Weling
Reversible Weight change of acceptor-doped BaTiO3. Hagemann, H. J.; Hennings, D.
(1981)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
Ceramic multilayer capacitors. Hagemann, H. J.; Hennings, D.; Wernicke, R.
(1984)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
;
R. Wernicke
Keramische Vielschichtkondensatoren. Hagemann, H. J.; Hennings, D.; Wernicke, R.
(1984)
Hans-Jürgen Hagemann
;
D. Hennings
;
R. Wernicke
Abscheidegeschwindigkeiten und Prozeßausbeuten im PCVD-Verfahren. Geittner, P.; Hagemann, H. J.; Schnittker, W.; Warnier, J.; Weling, F.; Wilson, H.
(1989)
Hans-Jürgen Hagemann
;
P. Geittner
;
W. Schnittker
;
J. Warnier
Störstellengleichgewichte in eisendotierten Titanaten. Hagemann, H. J.
(1989)
Hans-Jürgen Hagemann
The valence change of Fe in BaTiO3 studied by Mößbauer effect and gravimetry. Hagemann, H. J.; Hero, A.; Gonser, U.
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
;
A. Hero
;
U. Gonser
Valence change and phase stability of 3d-doped BaTiO3 annealed in oxygen and hydrogen. Hagemann, H. J.; Ihrig, H.
(1979)
Hans-Jürgen Hagemann
;
H. Ihrig
Akzeptorionen in BaTiO3 und SrTiO3 und ihre Auswirkungen auf die Eigenschaften von Titanatkeramiken
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
BaTiO3 dotiert mit 3d-Ionen: Valenzen, Leerstellen und ihre Auswirkungen. Hagemann, H. J.; Ihrig, H.
(1980)
Hans-Jürgen Hagemann
;
H. Ihrig
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