Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(3)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Document Type
Article
(143)
Book
(1)
Language
English
(142)
German
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik (144)
(remove)
144
search hits
101
to
144
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
F. Ruders
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Arnold Förster
;
U. Klemradt
;
M. Funke
;
M Fromm
Nonlinear charging effect of quantum dots in a p-i-n diode. Kiesslich, G.; Wacker, A.; Scholl, E.; Vitusevich, S.A.; Belyaev, A.E.; Danylyuk, S.V.; Forster, A.; Klein, N.; Henini, M.
(2003)
Arnold Förster
;
G. Kiesslich
;
A. Wacker
;
E. Scholl
Fabrication of GaAs symmetric pyramidal mesas prepared by wet-chemical etching using AlAs interlayer. Kicin, S.; Cambel, V.; Kuliffayova, M.; Gregusova, D.; Kovacova, E.; Novak, J.; Kostic, I.; Forster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
S Kicin
;
V. Cambel
;
M. Kuliffayova
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Arnold Förster
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
Quing Hu
;
S. Verghese
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Dieker
;
D. Gerthsen
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
G. Bertuccio
;
A. Pullia
Photoresponse spectra in p-i-n diodes containing quantum dots. Belyaev, A.E.; Vitusevich, S.A.; Eaves, L.; Main, P.C.; Henini, M.; Förster, A.; Reetz, W.; Danylyuk, S.V.
(2002)
Arnold Förster
;
A. E. Belyaev
;
S.A. Vitusevich
;
L. Eaves
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Appenzeller
;
C. Schroer
Fabrication and subpicosecond optical response of low-temperature-grown GaAs freestanding photoconductive devices. Adam, R.; Mikulics, M.; Forster, A.; Schelten, J.; Siegel, M.; Kordos, P.; Zheng, X.; Wu, S.; Sobolewski, R.
(2002)
Arnold Förster
;
R. Adam
;
M. Mikulics
;
J. Schelten
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Arnold Förster
Layer Deposition I
(2003)
Arnold Förster
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Arnold Förster
Anwendung der hochauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie zum Studium von Halbleiterschichtsystemen. - (Berichte der Kernforschungsanlage Jülich / Kernforschungsanlage ; 2247)
(1988)
Arnold Förster
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Arnold Förster
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
J. Darmo
;
F. Schäffer
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
101
to
144