Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Article
Refine
Author
Arnold Förster (145)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article (145)
(remove)
Language
English
(143)
German
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(143)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
145
search hits
11
to
60
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Dieker
;
D. Gerthsen
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
Quing Hu
;
S. Verghese
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Arnold Förster
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
Fabrication of GaAs symmetric pyramidal mesas prepared by wet-chemical etching using AlAs interlayer. Kicin, S.; Cambel, V.; Kuliffayova, M.; Gregusova, D.; Kovacova, E.; Novak, J.; Kostic, I.; Forster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
S Kicin
;
V. Cambel
;
M. Kuliffayova
Nonlinear charging effect of quantum dots in a p-i-n diode. Kiesslich, G.; Wacker, A.; Scholl, E.; Vitusevich, S.A.; Belyaev, A.E.; Danylyuk, S.V.; Forster, A.; Klein, N.; Henini, M.
(2003)
Arnold Förster
;
G. Kiesslich
;
A. Wacker
;
E. Scholl
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Arnold Förster
;
U. Klemradt
;
M. Funke
;
M Fromm
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
F. Ruders
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
E. Bauser
AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
H. Lüth
AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
H. Lüth
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
D. Protic
;
H. Lüth
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
Evaluation of dopant profiles and diffusion constants by means of electron energy loss spectroscopy
(1989)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Hot electron injector Gunn diode for advanced driver assistance systems
(2007)
Arnold Förster
;
M. I. Lepsa
;
D. Freundt
11
to
60